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μ PA678TB
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
4
Pulsed
4
I D = ? 0.20 A
3
2
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 0.15 A
3
2
Pulsed
1
0
V GS = ? 4.0 V, I D = ? 0.20 A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 0.20 A
1
0
-50
0
50
100
150
0
-2
-4
-6
-8
- 10
- 12
T ch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
V GS = ? 4.5 V
4
V GS = ? 4.0 V
3
Pulsed
3
Pulsed
T A = 125 ° C
2
1
0
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25°C
2
1
0
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
T A = 125 ° C
100
I D - Drain Current - A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE
VOLTAGE
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
3
2
1
0
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
Pulsed
10
1
C iss
C oss
C rss
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 0.1
-1
- 10
- 100
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16607EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
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